L’articolo che vi proponiamo questa settimana presenta uno studio approfondito sullo sviluppo e la validazione di modelli ottimizzati per la simulazione delle proprietà elettroniche di diodi geometrici in grafene su scale micrometriche. Il modello include una formulazione generale delle condizioni al contorno, con vincoli di impedenza arbitrari ai terminali di uscita.
Il comportamento rettificante emerge come proprietà intrinseca delle equazioni di trasporto non lineari in geometrie asimmetriche. Per superare i limiti computazionali dei metodi atomistici, viene proposto un approccio drift–diffusion migliorato, valido nel regime non balistico.
Simulazioni numeriche consentono di analizzare l’influenza della geometria e del bias esterno sulle caratteristiche input-output del diodo, e di confrontare diversi regimi di trasporto.
L’articolo è disponibile qui: ieeexplore.ieee.org/document/110526288.
