Quantitative Scanning Microwave Microscopy for Transfer Characteristics of GaN High-Electron-Mobility Transistors

Il lavoro che vi proponiamo questa settimana dimostra l’impiego di un microscopio a microonde in campo vicino (SMM) nella misura delle caratteristiche di un transistor ad alta mobilità in nitruro di Gallio (GaN HEMT), prima che venga depositato l’elettrodo di Gate.
Questo prova che l’SMM è un promettente mezzo per la caratterizzazione e il monitoraggio della fabbricazione di dispositivi durante il processo.

Il paper è disponibile al seguente link: https://doi.org/10.1109/TMTT.2024.3449128